首先提出這個問題，本身問題太寬泛，但根據以往對接客戶的經驗，就是想知道關於電子廠無塵車間的一些規定，標準。而對於需要做電子廠無塵車間的企業，迫切需要知道的是本企業做的產品業務需要的電子廠無塵車間工程要做起來，需要達到什麽樣的標準，規範，要求，或者說需要在獲取什麽證書等等。下麵我們將從各個方麵對電子無塵車間要求做知識分類分享：
A: 電子無塵車間溫濕度要求
SMT車間溫濕度標準: 溫度22±2℃ 濕度50±5%
首先是保證錫膏能工作在一個較好的環境，溫度會影響錫膏的活性，對裏麵所添加的助焊劑及相關溶劑的活性有一定的影響。溫度過高會增加活性，最終影響絲印貼裝及回流的效果。容易出現虛焊，焊點不光澤等現象。濕度的大會引起錫膏在空氣中吸入水氣，如吸收過多水氣，會使回流產生焊渣，連焊等現象。貼片時，濕度過低，會產生靜電，會導致IC微短路，不良品過多。
電子製造業無塵車間溫濕度標準: 溫度22±2℃ 濕度55±5%
芯片生產加工車間、集成電路無塵室和磁盤製造車間是屬於電子製造行業潔淨室的重要組成部分，由於電子產品在製造、生產過程中對室內空氣環境和品質的要求極為嚴格，主要以控製微粒和金屬粉塵為主要對象，同時還對其環境的溫濕度、新風量、噪聲等作出了嚴格的規定。（特殊電子無塵車間有相關溫濕度規定）。
貼膜車間溫濕度標準:溫度21±2℃ 濕度60±5%
嚴格來講，貼膜車間需要百級的無塵車間，實際上很少有廠家真正的做到，很多廠家因為成本的因數，都是在一個萬級的車間建設一個潔淨棚，以達到潔淨度的要求。首先要通過空調通風係統對空氣中塵粒及微生物進行控製，並保證空氣清新度（空調結構：有新風，有回風），再對生產物料的潔淨度控製、對進入員工的潔淨度控製，杜絕汙染物的引入、產生以及滯留。
B:電子廠無塵車間從安全角度來分析
一、無塵室須知
1. 進入無塵室前，必須知會管理人，並通過基本訓練。
2. 進入無塵室嚴禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報章，雜誌，鉛筆...等)不可攜入，並嚴禁嘻鬧奔跑及團聚談天。
3. 進入無塵室前，需在規定之處所脫鞋，將鞋置於鞋櫃內，外衣置於衣櫃內，私人物品置於私人櫃內，櫃內不可放置食物。
4.進入無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規定依程序穿戴整齊，再經空氣洗塵室洗塵，並踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進入。
5. 戴口罩時，應將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時汙染芯片。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應先整理服裝以及頭發，以免著上無塵衣後，不得整理又感不適。
7. 整肅儀容後，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則係:
(1)頭發必須完全覆蓋在帽內，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散於兩肩之上，穿上工作衣後，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥後，再著無塵衣，無塵衣應尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應注意帽之下擺應保平整之狀態，無塵衣不可反穿。
9. 穿著無塵衣後，才著鞋套，拉上鞋套並將鞋套整平，確實蓋在褲管之上。
10. 戴手套時應避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子汙染)，戴上手套後，應將手套之手腕置於衣袖內，以隔絕汙染源。
11. 無塵衣著妥後，經洗塵，並踩踏除塵毯，方得進入無塵室。
12. 不論進入或離開無塵室，須按規定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區域為之，尤不可在無塵室內邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應定期清洗，有破損，脫線時，應即換新。
14. 脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。
15. 脫下之無塵衣應吊好，並放於更衣室內上層櫃子中;鞋套應放置於吊好的無塵衣下方。
16. 更衣室內小櫃中，除了放置無塵衣等規定物品外，不得放置其它物品。
17. 除規定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置於規定處所。
19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重複使用。
20. 任何東西進入無塵室，必須用灑精擦拭幹淨。
21. 任何設備的進入，請知會管理人，在無塵室外擦拭幹淨，方可進入。
22. 未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當處理，例如關閉水、電、氣體等開關。
23. 無塵室內絕對不可動火，以免發生意外。
二、無塵室操作須知
1. 處理芯片時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的幹淨鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸汙染過的芯片須經清洗，方得繼續使用：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭髒鑷子。
(2) 芯片清洗後進行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把芯片放置於石英舟上，準備進爐管時，若發現所用鑷子有汙損現象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的汙染，必須將芯片重新清洗，並立即更換幹淨的鑷子使用。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來存放於規定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話，以防止唾液濺於芯片上，在芯片進擴散爐前，請特別注意，防止上述動作產生，若芯片上沾有纖維屑時，用氮氣槍噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出芯片時，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鑽石刀在芯片上刻記。
6. 操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進清洗水槽。
7. 使用化學站或烤箱處理芯片時，務必將芯片置放於鐵弗龍晶舟內，不可使用塑料盒。
8. 擺置芯片於石英舟時，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然後再進氧化爐。
9. 請勿觸摸芯片盒內部，如被碰觸或有碎芯片汙染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置於操作台，手套若燒焦、磨破或纖維質變多必須換新。
11. 非經指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關閥控製鈕或把手。
12. 奇怪的味道或反應異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關人員。
13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務必立刻告知負責人員或老師。
14. 芯片盒進出無塵室須保持幹淨，並以保鮮膜封裝，違者不得進入。
15. 無塵室內一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區操作須知
1. 濕度及溫度會影響對準工作，在黃光區應注意溫度及濕度，並應減少對準機附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2. 上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區以免感光。
3. 己上妥光阻，而在等待對準曝光之芯片，應放置於不透明之藍黑色晶盒之內， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光罩使用時應持取邊緣，不得觸及光罩麵，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮氣槍吹之。
5. 曝光時，應避免用眼睛直視曝光機汞燈。
四、鑷子使用須知
1. 進入實驗室後，應先戴上手套後，再取鑷子，以免沾汙。
2. 唯有使用幹淨的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭汙染，必須拿去清洗，方可再使用。
3. 鑷子使用後，應放於各站規定處，不可任意放置，如有特殊製程用鑷子，使用後應自行保管，不可和實驗室內各站之鑷子混合使用。
4. 持鑷子應采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時，順序應由後向前挾取，放回芯片時，則由前向後放回，以免刮傷芯片表麵。
6. 挾取芯片時，"短邊" (鋸狀頭)置於芯片正麵，"長邊" (平頭)置於芯片背麵，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7. 嚴禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8. 鑷子僅可做為挾取芯片用，不準做其它用途。
五、化學藥品使用須知
1. 化學藥品的進出須登記，並知會管理人，並附上物質安全資料表（MSDS）於實驗室門口。
2. 使用化學藥品前，請詳讀物質安全資料表(MSDS)，並告知管理人。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進行換酸工作。
4. 不得任意打開酸瓶的蓋子，使用後立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時，千萬記得加酸於水，絕不可加水於酸。
6. 勿嚐任何化學藥品或以嗅覺來確定容器內之藥品。
7. 不明容器內為何種藥品時，切勿搖動或倒置該容器。
8. 所有化學藥品之作業均須在通風良好或排氣之處為之。
9. 操作各項酸液時須詳讀各操作規範。
10. 酸類可與堿類共同存於有抽風設備的儲櫃，但絕不可與有機溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機溶液混合。
12. 廢棄有機溶液置放入有機廢液桶內，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內。
13. 勿任意更換容器內溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經許可後方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險性時，必須經評估後方可攜入，並請於容器上清楚標明容器內容物及保存期限。
15. 廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機、等，分開處理並登記，回收桶標示清楚，廢液桶內含氫氟酸等酸堿，絕對不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保安全，絕對不可用手觸碰，先將電源總開關與相關閥門關閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，並報備管理人。
六、化學工作站操作
1. 操作時須依規定，戴上橡皮手套及口罩。
2. 不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3. 添加任何溶液前，務必事先確認容器內溶劑方可添加。
4. 在化學工作站工作時應養成良好工作姿勢，上身應避免前傾至化學槽及清洗槽之上方，一方麵可防止危險發生，另一方麵亦減少汙染機會。
5. 化學站不操作時，有蓋者應隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關關上。
6. 化學藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應即用水衝洗濺傷部位15分鍾以 上，且必須皮膚顏色恢複正常為止，並立刻安排急救處理。
7. 化學品外泄時應迅速反應，並做適當處理，若有需要撤離時應依指示撤離。
8. 各化學工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機台及工作台，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1. DIWater 5min
2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機、油
3. DIWater 5min
4. HF:H2O 10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5. DIWater 5min
6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃，去金屬有機
7. DIWater 5min
8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子
9. DIWater 5min
10. Spin Dry
八、清洗注意事項
1. 有水則先倒水，H2O2最後倒，數字比為體積比。
2. 有機與酸堿絕對不可混合，操作平台也務必分開使用。
3. 酸堿溶液等冷卻後倒入回收槽，並以DI Water衝玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水清洗後，並依塑料瓶，玻璃瓶分開置於室外回收筒。
5. 氫氟酸會腐蝕骨頭，若碰到立即用葡萄酸鈣加水塗抹，再用清水衝洗幹淨，並就醫。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量衝洗。
6. 清洗後之Wafer盡量放在DI Water中避免汙染。
7. 簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振蕩。
9. 每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液，蝕刻、清洗、電鍍、有機絕不能混合。
10. 廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機五種，分開回收並記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。
無塵室係統
使用操作方法
1. 首先打開控製器麵板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關。
注意:
＊ 溫度控製器及濕度控製器可由黃色鈕調整，一般溫度控製為20℃ DB ，濕度控製為50% RH。
＊左側的控製器麵板上電壓切換開關為【RU】，電流切換開關為【T】。右側的控製器麵板上電壓切換開關為【RS】，電流切換開關為【OFF】。
2. 將箱型空氣調節機的送風關關打開，等送風穩定後再將冷氣暖氣開關打開，此時紅色燈會亮起，表示正常運作。
注意:
＊ 冷氣的起動順序為壓縮機【NO.2】。
＊ 溫度調節為指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分流開關AIR VALVE 為【ON】。
3. 無塵室使用完畢後，要先將箱型空氣調節機關閉，按【停止】鍵即可。
4. 再將控製器麵板上的【電熱運轉】、【加壓風車運轉】、【浴塵室運轉】、【排氣風車運轉】等開關依序關閉。
氣體鋼瓶
使用操作方法
1. 用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開PURGE關閉。
2. 由黑色轉鈕調整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時針方向為增加，逆時針方向為減少。
3. 將N2鋼瓶調整為40psi（黃光室內為20psi）,AIR鋼瓶調整為80psi（黃光室內為60psi）。
4. 氣體鋼瓶使用完畢後，用把手順時針關閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關閉【PURGE】打開將管路內的氣體排出後將【PURGE】關閉。
純水係統
使用操作方法
1. 閥門控製
(1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應保持全開。
(2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應保持全關。
(3) 閥門V9、V20為調壓作用，不可全開或全關。
(4) 閥門中V5為砂濾機之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2. 自動造水
步驟1：如上【閥門控製】將各球閥門開關定位。
步驟2：控製箱上，各切換開關保持在【OFF】位置。
步驟3：將控製箱上【係統運轉】開關切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水。
步驟6：此時，PUMP1、PUMP2依序激活，係統正常造水，RO產水經管路進入儲水桶(TANK)，當水滿後控製箱上高液位指示燈亮，係統自動停機，並於儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。
3. 係統用水
將控製箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關切換至【用水】，此時PUMP3輸送泵浦激活，TANK內之純水經幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾後，供現場各使用點使用。
4. 夜間循環
控製箱上之【夜間循環-停-用水】切換開關，主要在配合每日下班或連續假日停止供水後管路之衛生考慮，其步驟為:
(1) 停止供水59分鍾後，係統再自動供水1分鍾。
(2) 此後每隔59分鍾供水循環1分鍾至夜間循環【停】為止。
5. 係統偵測
本係統中附有各項壓力表、流量計及導電度計，作為係統運轉之控製，其功能如下:
壓力表1：砂濾機進水壓力
壓力表2：RO進水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進水壓力
壓力表5：供水回流壓
流量計1：RO排水流量
流量計2：RO產水流量
另外，控製箱(機房)附有二段式LED導電度顯示屏，原水及產水分別切換顯示。
6. 係統維護
HF-RD係統，應定期更新之耗材:
(1) 砂濾機應定期逆時。
(2)預濾應每1-2個月更新。
(3)膜管應視其去除率及產水量做必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個月更新。
7. 故障排除
現 象 可能因素 排除方法
係統停機、係統無法激活 1. 外電源異常2. 係統運轉開關未按下3. 係統電路故障4. 馬達/泵浦故障 1. 檢查係統電源電路2. 按下係統運轉開關3. 通知廠商4. 更新馬達/泵浦
低產水量 1. 膜管排水量太高2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調整排水閥V92. 清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1. 樹脂功能下降2. RO去除率下降 1. 更換樹脂2. 更換RO膜組
光罩對準機
使用操作方法
曝光機簡介
在半導體製程中，塗布光阻後的芯片，須經UV紫外光照射曝光顯影，此台曝光機為OAI200係列，整合光罩對準、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
OAI200係列為一入門型光罩對準儀，可以手動操作更改各項使用參數，如曝光時間、曝光強度及曝光功率等等。對於中高階的線寬有很好的顯影效果，此係列最大可使用四吋的芯片，最大的曝光功率為1KW。
曝光機使用步驟
1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機下方延長線的紅色總開關，再開啟曝光機、顯微鏡。
2. 接上隧道式抽風馬達電源，進行曝光機抽風步驟，並檢查曝光機上方汞燈座後麵進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣，則無法開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進風口有進氣後，才可開啟曝光機下方的汞燈電源供應器ON/OFF開關。
3. 按住汞燈電源供應器之START鍵，約1~3秒鍾，此時電流值會上升〈代表汞燈點亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點亮。
4. 汞燈點亮後，至少須待機30分鍾，使Lightsource係統穩定。假使汞燈無法點亮，請不要作任何修護動作。
5. 待係統穩定後，把電源供應器上的電壓、電流值填到紀錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀錄。
6. 旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正麵〈鍍鉻麵〉朝下，對準三個基準點，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊ 先用氮氣吹光罩和MASK Holder，光罩正麵朝下，對準黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個黑鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。
7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAMEUP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8. 扳動台邊鈕(Ball LockButton)為Unlock，順時針方向慢慢旋轉旋轉鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可，然後逆時針旋轉ZKnob約15格，扳動台邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時針方向旋轉Zknob，會使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準時，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會直接摩擦。
＊ 若不須對準時，可以不使用逆時針方向旋轉Z knob。
＊ 旋轉Zknob時，不論順時針或逆時針轉動，當皮帶打滑時，代表芯片基座已和光罩接觸，此時不可逆時針旋轉，而導致內部螺栓鬆脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越鬆。
9. 移動顯微鏡座，至光罩上方，作芯片與光罩的對準校正。如須調整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機麵板左側如下圖：
注意：
＊曝光秒數有兩種設定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當按下1000SEC時，計數器最大可設999秒的曝光時間；按下100SEC時，計數器最大可設99.9秒的曝光時間。
＊ 再設定曝光秒數時要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機左端底，後然將OAI 306 UVPOWERMETER放置於CHUNK上即可，完畢後按RESET，而且可多測幾個不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時間(SEC)即變可mJ的單位。
11. 設定好曝光秒數後，即可進行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會產生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的範圍一般為紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的按鈕，此時基座才可移動，移至曝光機左端底，放開按鈕，則曝光機會自動進行曝光的動作。
13. 曝光完成後，即可將基座移回曝光機右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會充氮氣破光罩與芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。
14. 逆時針旋轉Z knob，降下芯片基座至最低點。鬆開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動【SUBVAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16. 如須進行再一次的曝光，則可重複上述步驟。
17. 完成所有的曝光程序後，先關掉顯微鏡光源產生器，再關掉汞燈電源供應器。〈關燈後一小時內不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉
18. 先關隧道式抽風馬達電源，關掉曝光機的開關【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關掉曝光機下方的延長線總開關。待曝光機冷卻後，最後再關掉牆上氮氣閥及空氣閥。
熱蒸鍍機
使用操作方法
A.開機步驟
1. 開機器背麵的總電源開關。
2. 開冷卻水，需先激活D.I Water 係統。
3. 開RP，熱機2分鍾。
4. 開三向閥切至F.V的位置，等2分鍾。
5. 開DP，熱機30分鍾(熱機同時即可進行Sample 之清洗與裝載，以節省時間)。
B.裝載
1. 開Vent，進氣之後立刻關閉。
2. 開Chamber。
3. Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關Chamber，關門時務必注意門是否密合，因機器年久失修，通常須用手壓緊門的右上角。
C.抽真空
1. 初抽
(1)三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分鍾就切換到F.V一下，以免DP內的幫浦油氣分子擴散進入chamber中)。
(2) 真空計VAP-5顯示至5′10-2 torr時三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細抽
(1) M.V ON，記錄時間。
(2) ION GAUGE ON，壓下Fil 點燃燈絲(需要低於10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2′10-5 Torr時，開始加入液態氮。
2. 壓力低於2′10-6 Torr時，記錄壓力及抽氣時間並關掉ION GAUGE。
3. Heater Power ON (確定Power調整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。
注意:
＊ 鍍金時，儀表上電流約100A，鍍Al時電流可稍微小些，約70~80A。
＊ 當BOAT高熱發出紅光時，應立即關閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。
＊ 空鍍幾秒將待鍍金屬表麵清幹淨後即可打開Shutter，開始蒸鍍。
＊ 蒸鍍完成後，立刻關閉HeaterPower，等10~15分鍾讓BOAT冷卻及蒸鍍後的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷卻30~60分鍾。
5. 開Vent(進氣後立刻關閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關Chamber，注意將門關緊。
F.關機
1. 關F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之後關閉。
3. 開F.V，30秒後三向閥切至關閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關總電源。
6. 關冷卻水。
7. 關氮氣。
注意：
＊ 蒸鍍時，電流應緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控製。
＊ 若接續他人使用，液態氮可少灌一點兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管
使用操作方法
氧化爐管簡介
本實驗室所采用之氧化爐管為Lenton LTF1200水平管狀式爐子，可放2英吋矽晶圓，加熱區大於50cm，最高溫度可達1200°C並可連續24hr，最大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動溫度控製器。
目的
將矽芯片曝露在高溫且含氧的環境中一段時間後，我們可以在矽芯片的表麵生長一層與矽的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。Switch在有電源供應時【l】將會發光，而氧化爐也將開始加熱。
＊如果過溫保護裝置是好的，請確定警報點的設定於目前的使用過程中為恰當地。如果過熱保護裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控製操作中有警報一致的程序。
＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過3°C per min。
＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化爐時不要在最大溫度下關閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發生，並填寫操作記錄。
2. 檢查機台狀態
(1) 控製麵板狀態：使用前先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。
(2) 加熱控製器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前後段爐溫差￡40°C。
(3) 氣體控製:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 將芯片緩慢的推入爐管內。
4. 打開牆上H2、O2之開關和機房的氣瓶調壓閥。
5. 設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下【HEAT】Switch為【l】，此時爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標準製程溫度1100°C，升溫速率最大不能超過3°C per min。
7. 待爐溫降至恒溫後將芯片取出。
8. 關閉H2、O2 。
9. 關閉爐管後端H2之開關及牆上之開關和機房的氣瓶調壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關機動作。
11. 填寫操作記錄之終了時間和異常保護及說明。
塗布機
使用操作方法
1. 首先將PUMP的電源插頭插入塗布機後麵的電源插座。
2. 將塗布機的插頭插入110V的電源插座，然後按下【POWER】鍵。
3. 設定旋轉的轉速及時間，本機型為二段式加速的Spin Coating，右邊為第一段加速，左邊為第二段加速。
4. 依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉轉盤做塗布的動作。
5.按下【PUMP】鍵，此時旋轉轉盤會吸住基材，然後將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外塗開至適當的量，在做光阻塗開動作時可先用氮氣將旋轉轉盤周圍及基材吹幹淨。
6. 蓋上塗布機的保護蓋，以防止光阻濺出塗布機外。
7. 按下【START】鍵，塗布機便開始做塗布的動作。
8. 塗布完畢後，打開保護蓋，按下【PUMP】鍵旋轉轉盤會放開基材，便可以將基材取出。
熱風循環烘箱
使用操作方法
1. 本機使用電壓110V/60HZ。
2. 確認電壓後，將電源線插入110V的插座。
3. 打開【POWER】開關，此時溫度表PV即顯示箱內實際溫度。
4. 首先按【SET】鍵?，SV會一直閃爍此時即可開始設定溫度，而SV的字幕窗會呈現高亮度，在高亮度的位置可設定所需的溫度，隻要再按【SET】鍵?高亮度會隨之移動，在高亮度的地方即可設定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵▼則溫度往下遞減。
6. 當完成以上設定溫度之後(SV仍閃爍不停)此時隻要按一次【ENT】鍵SV即呈現剛才所設定的溫度(PV顯示實際溫度)。
7. 加熱燈OUT顯示燈亮時表示機器正在加熱中，而到達設定點時OUT會一閃一爍(正常現象)。
8. AT燈亮時表示溫度正自動演算中。
9. ALM-1紅色燈亮時表示溫度過熱(溫度會自動降溫)。
10. ALM-2紅色燈亮時表示溫度過低(溫度會自動加溫)。
11. 溫度範圍:40℃~210℃。
C:電子廠無塵車間潔淨等級要求
首先電子廠就不一定都擁有無塵車間，如果有無塵車間，不同的廠家根據自己的產品或者科研需求對潔淨等級的要求也是不一樣的，如果想詳細了解潔淨等級可以參看：
D:電子廠無塵車間對員工的要求
如果您是一名想進工廠的員工想知道電子廠無塵車間對員工的要求，我們也可以根據我們接觸眾多電子廠家給出一些答案。比如，有很多電子廠的無塵車間並不是嚴格的無塵車間，就是做個樣子，但如果你想進一個比較嚴格，待遇比較好，對這方麵要求非常高的電子廠，你就要注意了。為什麽要用無塵車間，其實更多的是出於對電子產品質量的考慮，所以公司都會有相關的規章製度，如果你麵試的時候能體現出你對這方麵的一些認識，將會事半功倍。所以你要清楚的是，嚴格的電子廠無塵
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